Charakterisierung der Schichtdickenabhängigkeit der optischen Eigenschaften von Silizium
von Hans Starke (18, Martin-Andersen-Nexö-Gymnasium Dresden)
Kategorie: Physik
Betreuer: Steffen Schäfer (Martin-Andersen-Nexö-Gymnasium Dresden)
Wettbewerbsart: Jugend forscht
Auf Siliziumplatten werden durch diverse Bearbeitungsprozesse Schichten mit unterschiedlichen Strukturen erzeugt, die als Vorarbeit für zum Beispiel die Produktion von Transistoren wichtig sind. Zur Überwachung der Produktion braucht es die spektroskopische Ellipsometrie. Um mit diesem optischen Verfahren die Schichtdicken kontrollieren zu können benötigt man vergleichswerte, welche üblicherweise aus einer vielzahl gespeicherter Daten in Form von Tabellen vorliegen. Diese Werte gelten jedoch nicht für besonders dünne Schichten, da die Eigenschaften sich ändern. Aus diesem Grund hab ich durch Auswertung vieler Daten ein Modell erstellt, indem die Eigenschaften einen funktionalen Zusammenhang zur Schichtdicke besitzen. Dadurch lassen sich viel genauere und konstant bessere Ergebnisse erzielen.